جزئیات محصولات

خونه محصولات

1200V اینورتر دوگانه IGBT نیمه پل ماژول FF200R12KT4 قدرت درایو 62mm C سری

Name: 1200V اینورتر دوگانه IGBT نیمه پل ماژول FF200R12KT4 قدرت درایو 62mm C سری
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF200R12KT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

نام تجاری:	Infineon
شماره مدل:	FF200R12KT4
مقدار تولیدی:	۱ عدد
شرایط پرداخت:	T/T
توانایی عرضه:	1000sets

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

VCES:

1200V

IC IC IC:

200A

مدار مجتمع:

320A

ICRM:

400A

جزئیات بسته بندی:

بسته بندی چوبی جعبه

قابلیت ارائه:

1000sets

برجسته کردن:

ماژول igbt قدرت بالا

igbt خودرو

توضیحات محصول

نیمه پل 62 میلیمتری C-series 1200 V، اینورتر دوگانه IGBT ماژول FF200R12KT4 ماژول درایو قدرت

حداکثر ارزشهای ارزیابی شده

ولتاژ جمع کننده-امیتر	Tvj = 25 درجه سانتی گراد	VCES	1200	V
جریان DC جمع کن DC	TC = 100 ° C، Tvj max = 175 ° C TC = 25 ° C، Tvj max = 175 ° C	IC nom مدار مجتمع	200 320	الف الف
جريان جمع کننده پيک تکراري	tP = 1 میلی ثانیه	ICRM	400	الف
از بین بردن کل قدرت	TC = 25 درجه سانتی گراد حداکثر دمای آب 175 درجه سانتیگراد	Ptot	1100	W
ولتاژ پیمان گیرنده دروازه		VGES	+/- 20	V

مقادیر مشخصه

ولتاژ اشباع جمع کننده-امیتر	IC = 200 A، VGE = 15 V Tvj = 25 درجه سانتی گراد IC = 200 A، VGE = 15 V Tvj = 125 درجه سانتی گراد IC = 200 A، VGE = 15 V Tvj = 150 درجه سانتی گراد	VCE نشست		1،75 2،05 2،10	2،15	V VV
ولتاژ آستانه گیت	IC = 7،60 mA، VCE = VGE، Tvj = 25 درجه سانتیگراد	VGEth	5،2	5،8	6،4	V
شارژ گیت	VGE = -15 V ... + 15 V	QG		1،80		μC
مقاومت درونی داخلی	Tvj = 25 درجه سانتی گراد	RGint		3،8		Ω
ظرفیت ورودی	f = 1 مگاهرتز، Tvj = 25 درجه سانتی گراد، VCE = 25 V، VGE = 0 V	Cies		14،0		nF
ظرفیت انتقال معکوس	f = 1 مگاهرتز، Tvj = 25 درجه سانتی گراد، VCE = 25 V، VGE = 0 V	کرس		0،50		nF
جریان قطع کننده جمع کننده-امیتر	VCE = 1200 V، VGE = 0 V، Tvj = 25 درجه سانتی گراد	ICES			5،0	mA
جریان نشتی گیرنده گیت	VCE = 0 V، VGE = 20 V، Tjj = 25 درجه سانتی گراد	IGES			400	nA
زمان تاخیر خاموش، بار القایی	IC = 200 A، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجه سانتیگراد RGon = 2،4 Ω Tvj = 150 ℃	Td در		0،16 0،17 0،18		μs μs μs
زمان افزایش، بار القایی	IC = 200 A، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجه سانتیگراد RGon = 2،4 Ω Tvj = 150 ℃	tr		0،045 0،04 0،50		μs μs μs
خاموش کردن زمان تاخیر، بار القایی	IC = 200 A، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجه سانتیگراد RGon = 2،4 Ω Tvj = 150 ℃	Td خاموش		0،45 0،52 0،54		μs μs μs
زمان سقوط، بار القایی	IC = 200 A، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجه سانتیگراد RGon = 2،4 Ω Tvj = 150 ℃	TF		0،10 0،16 0،16		μs μs μs
خاموش شدن انرژی در هر پالس	IC = 200 A، VCE = 600 V، LS = 30 nH Tvj = 25 درجه سانتیگراد VGE = ± 15 V، di / dt = 4000 A / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 2،4 Ω Tvj = 150 ℃	ایون		10،0 15،0 17،0		19،0 30،0 36،0
خاموش کردن انرژی در هر پالس	IC = 200 A، VCE = 600 V، LS = 30 nH Tvj = 25 درجه سانتیگراد VGE = ± 15 V، du / dt = 4500 V / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 2،4 Ω Tvj = 150 ℃	اویف		14،0 20،0 23،0		مژده مژده مژده
اطلاعات SC	VGE ≤ 15 V، VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 μs، Tvj = 150 ° C	ISC		800		مژده مژده مژده
مقاومت حرارتی، اتصال به مورد	IGBT / در IGBT	RthJC			0.135	K / W
مقاومت حرارتی، هیدرولیک Caseto	هر IGBT / هر IGBT λPaste = 1 W / (m · K) / λgrease = 1 W / (m · K)	RthCH		0،034		K / W
دمای تحت شرایط تعویض		Tvj op	-40		150	° C